Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Арутюнян, С. С.

Статьи. Автор - Арутюнян, С. С.

• Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
  Арутюнян, С. С., Фёдоров, Ю. В. , Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Томош, К. Н., Федоров, Ю. В.
  
  Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142 Арутюнян_двухслойная
• Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ
  Томош, К. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Хабибуллин, Р. А., Арутюнян, С. С., Мальцев, П.П.
  
  Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 .- Томош_исследование