| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Приведены данные по синтезу и характеризации структур для квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона в системе материалов AlGaAs/GaAs на подложках GaAs с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассматриваются особенности, необходимые для реализации подобных структур. Показано, что для данной геометрии наблюдается практически одномодовая генерация на частоте ~ 3ТГцв плоть до температуры ~ 60 K. |
| Ключевые слова | квантово-каскадные лазеры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 902-905 |
|
| Имя макрообъекта | Цырлин_особенности |
