| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676474632 |
| Дата корректировки | 13:41:30 8 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49829.21 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Цырлин, Г. Э. | |
|
Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства Электронный ресурс |
|
| Features of the growth of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 5 назв. |
| Аннотация | Приведены данные по синтезу и характеризации структур для квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона в системе материалов AlGaAs/GaAs на подложках GaAs с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассматриваются особенности, необходимые для реализации подобных структур. Показано, что для данной геометрии наблюдается практически одномодовая генерация на частоте ~ 3ТГцв плоть до температуры ~ 60 K. |
| Ключевые слова | квантово-каскадные лазеры |
|
молекулярно-пучковая эпитаксия терагерцовое излучение полупроводниковые наноструктуры полупроводники терагерцовый диапазон |
|
|
Резник, Р. Р. Жуков, А. Е. Хабибуллин, Р. А. Маремьянин, К. В. Гавриленко, В. И. Морозов, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 902-905 |
|
| Имя макрообъекта | Цырлин_особенности |
| Тип документа | b |
