Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs - Статьи - Базы данных - БГТУ

Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs

Авторы: Гудина, С. В. Арапов, Ю. Г. Савельев, А. П. Неверов, В. Н. Подгорных, С. М. Шелушинина, Н. Г. Якунин, М. В. Васильевский, И. С. Виниченко, А. Н.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs Электронный ресурс
Аннотация	Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T = (1.8-30)K в магнитных полях до B = 9Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.
Ключевые слова	квантовый эффект Холла
Название источника	Физика и техника полупроводников
Место и дата издания	2016
Прочая информация	Т. 50, вып. 12. - С. 1669-1674
Имя макрообъекта	Гудина_квантовый