| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675342748 |
| Дата корректировки | 11:34:35 26 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гудина, С. В. | |
|
Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs Электронный ресурс |
|
| Quantum Hall effect and hopping conductivity in n-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T = (1.8-30)K в магнитных полях до B = 9Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации. |
| Ключевые слова | квантовый эффект Холла |
|
эффект Холла прыжковая проводимость наногетероструктуры гетероструктуры температурно-индуцированный транспорт арсенид индия-галлия арсенид индия-алюминия |
|
|
Арапов, Ю. Г. Савельев, А. П. Неверов, В. Н. Подгорных, С. М. Шелушинина, Н. Г. Якунин, М. В. Васильевский, И. С. Виниченко, А. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1669-1674 |
| Имя макрообъекта | Гудина_квантовый |
| Тип документа | b |
