Поиск

Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V}

Авторы: Громов, Д. В. Мальцев, П. П. Полевич, С. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.382.3
Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V}
Электронный ресурс
Аннотация Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений А{III}В{V}. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны лямбда = 880-900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов.
Ключевые слова лазерное моделирование переходных ов в ах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V}
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 2. - С. 223-228
Имя макрообъекта Громов_лазерное