| Индекс УДК | 621.382.3 |
|
Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V} Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений А{III}В{V}. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны лямбда = 880-900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов. |
| Ключевые слова | лазерное моделирование переходных ов в ах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V} |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 223-228 |
| Имя макрообъекта | Громов_лазерное |
