| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669565094 |
| Дата корректировки | 14:33:54 20 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.382.3 |
| Громов, Д. В. | |
|
Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V} Электронный ресурс |
|
| Laser simulation of transient radiation effects in heterostructure elements on A{III}B{V} semiconductor compounds | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений А{III}В{V}. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны лямбда = 880-900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов. |
| Ключевые слова | лазерное моделирование переходных ов в ах на полупроводниковых соединениях А{III}В{V} |
|
гетероструктурныех элементы полупроводниковые соединения лазерное излучение псевдоморфные полевые транзисторы тероструктурные биполярные транзисторы резонансно-туннельные диоды |
|
|
Мальцев, П. П. Полевич, С. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 223-228 |
| Имя макрообъекта | Громов_лазерное |
| Тип документа | b |
