Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
  
  Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533 Алешкин_технология
• Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
  Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582 Байдусь_особенности
• Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
  Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
  
  Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .- Байдусь_применение
• Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
  Смагина, Ж. В., Зиновьев, В. А., Кривякин, Г. К., Родякина, Е. Е., Кучинская, П. А., Фомин, Б. И., Яблонский, А. Н. , Степихова, М. В., Новиков, А. В., Двуреченский, А. В.
  
  Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1028-1033 Смагина_исследование
• О распределении минеральных форм азота на загрязненных участках реки в черте города [Текст]
  Ларюшкин-Железный, Б. В., Новиков, А. В.
  
  О распределении минеральных форм азота на загрязненных участках реки в черте города [Текст] , Б. В. Ларюшкин-Железный, А. В. Новиков Ил.5, Табл.4 Водные ресурсы , 2005, Т.32, № 5 .- С. 589-596
• Переход на технологическое нормирование сбросов городских очистных сооружений: итоги десяти лет работы и рекомендации после принятия полного пакета нормативных правовых актов
  Данилович, Д. А., Будницкий, Д. М., Новиков, А. В.
  
  Переход на технологическое нормирование сбросов городских очистных сооружений: итоги десяти лет работы и рекомендации после принятия полного пакета нормативных правовых актов, Д. А. Данилович, Д. М. Будницкий, А. В. Новиков ил. // Водоснабжение и санитарная техника .- 2020 .- № 11. - С. 4-15 .-
• Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
  Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В., Степихова, М. В., Сергеев, С. М., Байдакова, Н. А., Шалеев, М. В., Красильник, З. Ф.
  
  цв. ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 10. - С. 1150-1157 .- Яблонский_кинетика
• Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии
  Юрасов, Д. В., Байдакова, Н. А., Яблонский, А. Н. , Новиков, А. В.
  
  Влияние условий роста и уровня легирования на кинетику люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на кремнии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 7. - С. 685-690 Юрасов_влияние
• Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
  Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Бушуйкин, П. А., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В.
  
  Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 264-268 .- Лобанов_особенности
• Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках
  Кудрявцев, К. Е., Алёшкин, В. Я., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Юрасов, Д. В., Горлачук, П. В., Рябоштан, Ю. Л., Мармалюк, А. А., Новиков, А. В., Красильник, З. Ф.
  
  Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389 Кудрявцев_стимулированное
• Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
  Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
  
  Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336 Новиков_формирование
• Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
  Байдакова, Н. А., Вербус, В. А., Морозова, Е. Е., Новиков, А. В., Скороходов, Е. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Hombe, A., Kurokawa, Y., Usami, N.
  
  Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1599-1604 Байдакова_селективное
• Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
  Бушуйкин, П. А., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Лобанов, Д. Н., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В. , Демидов, Е. В., Савченко, Г. М., Давыдов, В. Ю.
  
  Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598 Бушуйкин_особенности
• Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
  Юрасов, Д. В., Дроздов, М. Н., Шмагин, В. Б., Новиков, А. В.
  
  Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1611-1615 Юрасов_исследование
• Влияние концентрации дисперсной фазы на параметры процесса отстаивания
  Голованчиков, А. Б., Ламскова, М. И., Новиков, А. В., Филимонов, М. И.
  
  Влияние концентрации дисперсной фазы на параметры процесса отстаивания, Голованчиков А. Б., Ламскова М. И., Филимонов М. И., Новиков А. Е. фот. // Химическая промышленность сегодня .- 2024 .- № 2. - С. 82-87 .-
• Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
  Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
  
  Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 .- Алешкин_стимулированное
• Совершенствование подходов к организации технического обслуживания машинно-тракторного парка сельскохозяйственных предприятий
  Тимошенко, В. Я., Добыш, Г. Ф., Новиков, А. В., Жданко, Д. А.
  
  Совершенствование подходов к организации технического обслуживания машинно-тракторного парка сельскохозяйственных предприятий, [Текст] табл. Агропанорама, 2014, № 2. - С. 29-32
• Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
  Байдакова, Н. А., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Шенгуров, Д. В., Красильник, З.Ф.
  
  Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1685-1689 .- Байдакова_электролюминесценция
• Общие вопросы соответствия качества питьевой воды централизованного водоснабжения нормативным требованиям
  Новиков, А. В., Самбурский, Г. А.
  
  Общие вопросы соответствия качества питьевой воды централизованного водоснабжения нормативным требованиям, А. В. Новиков, Г. А. Самбурский // Водоснабжение и санитарная техника .- 2022 .- № 2. - С. 10-14 .-
• Совершенствование способов внесения жидких отходов калийного производства при возделывании кукурузы
  Шейко, Л. Г., Новиков, А. В., Кецко, В. Н., Станкевич, А. Ф.
  
  Совершенствование способов внесения жидких отходов калийного производства при возделывании кукурузы, [Текст] табл. Агропанорама, 2015, № 2. - С. 9-11