-
Получение стекол системы As-S методом плазмохимического осаждения из газовой фазы
Воротынцев, А. В., Мочалов, Л. А., Лобанов, А. С., Нежданов, А. В., Воротынцев, В. М., Машин, А. И.
Получение стекол системы As-S методом плазмохимического осаждения из газовой фазы, [Текст]
ил.
Журнал прикладной химии, 2016, Т. 89, Вып. 2. - С. 168-173
-
Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2]
Грачев, Д. А., Ершов, А. В., Карабанова, И. А., Пирогов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Павлов, Д. А.
Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 5. - С. 965-971 .-
Грачев_влияние
-
Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом
Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Нежданов, А. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Пашенькин, И. Ю.
Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 11. - С. 2130-2134 .-
Вихрова_модифицирование
-
Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806
Звонков_формирование
-
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Калентьева, И. Л., Нежданов, А. В., Парафин, А. Е., Хомицкий, Д. В., Антонов, И. Н.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343
Вихрова_импульсное
-
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства
Денисов, С. А., Дроздов, М. Н., Машин, А. И., Буланов, А. Д., Нежданов, А. В., Ежевский, А. А., Степихова, М. В., Чалков, В. Ю., Шенгуров, Д. В., Шенгуров, В. Г.
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si[1-x]Ge[x] : получение и некоторые свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 3. - С. 350-353 .-
Деточенко_эпитаксиально
-
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Васильев, В. К., Гусейнов, Д. В., Окулич, Е. В., Шемухин, А. А., Суродин, С. И., Нежданов, А. В., Пирогов, А. В., Тетельбаум, Д. И.
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN, [Электронный ресурс]
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 274-278 .-
Королев_послойный
-
Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур
Планкина, С. М., Вихрова, О. В., Звонков, Б. Н. , Нежданов, А. В., Пашенькин, И. Ю.
Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 11. - С. 1510-1513 .-
Планкина_применение
-
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
Новиков, А. В., Юрасов, Д. В., Морозова, Е. Е., Скороходов, Е. В., Яблонский, А. Н. , Байдакова, Н. А., Гусев, Н. С., Кудрявцев, К. Е., Нежданов, А. В., Машин, А. И.
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1331-1336
Новиков_формирование
-
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
Шенгуров, В. Г., Чалков, В. Ю., Денисов, С. А., Матвеев, С. А., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Филатов, Д. О., Степихова, М. В., Красильник, З. Ф.
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si[1-x]Ge[x] с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1270-1275 .-
Шенгуров_условия
-
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света
Планкина, С. М., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Коннова, Н. Ю., Нежданов, А. В., Пашенькин, И. Ю.
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1561-1564
Планкина_исследование
-
Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .-
Сресели_квантовые
