| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована кристаллическая структура GaAs, облученного ионами Mn{+} с последующим импульсным лазерным отжигом. Сканирование поперечного скола образцов показало, что в результате лазерного отжига она полностью восстанавливается на всю глубину имплантации. Обнаружено рассеяние на связанной фонон-плазмонной моде, свидетельствующее об электрической активации примеси при дозах марганца выше 1 · 10{16} см{-2}. На примере данных исследований продемонстрированы возможности метода сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света при исследовании поперечного скола структур, а на тестовом образце c дельта-слоем углерода установлено, что латеральное разрешение метода составляет 300 нм. |
| Ключевые слова | комбинационное рассеяние света |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1561-1564 |
|
| Имя макрообъекта | Планкина_исследование |
