| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675264536 |
| Дата корректировки | 13:59:26 25 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Планкина, С. М. | |
|
Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света Электронный ресурс |
|
| Study of structures by Raman scattering spectroscopy on cleaved cross-sections | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Методом сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована кристаллическая структура GaAs, облученного ионами Mn{+} с последующим импульсным лазерным отжигом. Сканирование поперечного скола образцов показало, что в результате лазерного отжига она полностью восстанавливается на всю глубину имплантации. Обнаружено рассеяние на связанной фонон-плазмонной моде, свидетельствующее об электрической активации примеси при дозах марганца выше 1 · 10{16} см{-2}. На примере данных исследований продемонстрированы возможности метода сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света при исследовании поперечного скола структур, а на тестовом образце c дельта-слоем углерода установлено, что латеральное разрешение метода составляет 300 нм. |
| Ключевые слова | комбинационное рассеяние света |
|
кристаллические структуры спектроскопия поперечный скол аппроксимация спектров лазерный отжиг МОС-гидридная эпитаксия лазерное излучение ионно-облученные полупроводники полупроводники |
|
|
Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Коннова, Н. Ю. Нежданов, А. В. Пашенькин, И. Ю. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1561-1564 |
|
| Имя макрообъекта | Планкина_исследование |
| Тип документа | b |
