Поиск

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs

Авторы: Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Калентьева, И. Л. Нежданов, А. В. Парафин, А. Е. Хомицкий, Д. В. Антонов, И. Н.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
Электронный ресурс
Аннотация Исследованы эффекты воздействия импульсов эксимерного лазера KrF на кристаллические и оптические свойства структур с четырьмя квантовыми ямами InxGa[1-x]As/GaAs (x варьировалось от 0.08 до 0.25). Результаты, полученные методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения, показали, что высокое кристаллическое качество покровного слоя GaAs-структур сохраняется после воздействия лазерного излучения с плотностью энергии от 200 до 360мДж/см{2}. Экспериментально методом спектроскопии фотолюминесценции и посредством моделирования процесса лазерного отжига, представляющего собой решение задачи о распространении тепла в одномерной системе на основе GaAs, установлено, что термические воздействия, возникающие в гетероструктурах при импульсном лазерном облучении ниже порога плавления GaAs, приводят к релаксации механических напряжений, которая на начальных стадиях процесса обусловливает появление в квантовых ямах InxGa[1-x] As/GaAs точечных дефектов. Последние приводят к "красному" сдвигу пиков фотолюминесцентного излучения квантовых ям и служат центрами безызлучательной рекомбинации, что вызывает гашение фотолюминесцентного излучения.
Ключевые слова арсенид галлия
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343
Имя макрообъекта Вихрова_импульсное