Поиск

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs

Авторы: Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Калентьева, И. Л. Нежданов, А. В. Парафин, А. Е. Хомицкий, Д. В. Антонов, И. Н.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/677689624
Дата корректировки 15:17:14 22 июня 2021 г.
DOI 10.21883/FTP.2020.12.50234.9484
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Вихрова, О. В.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
Электронный ресурс
Pulsed laser irradiation of GaAs-based light-emitting structures
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 24 назв.
Аннотация Исследованы эффекты воздействия импульсов эксимерного лазера KrF на кристаллические и оптические свойства структур с четырьмя квантовыми ямами InxGa[1-x]As/GaAs (x варьировалось от 0.08 до 0.25). Результаты, полученные методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения, показали, что высокое кристаллическое качество покровного слоя GaAs-структур сохраняется после воздействия лазерного излучения с плотностью энергии от 200 до 360мДж/см{2}. Экспериментально методом спектроскопии фотолюминесценции и посредством моделирования процесса лазерного отжига, представляющего собой решение задачи о распространении тепла в одномерной системе на основе GaAs, установлено, что термические воздействия, возникающие в гетероструктурах при импульсном лазерном облучении ниже порога плавления GaAs, приводят к релаксации механических напряжений, которая на начальных стадиях процесса обусловливает появление в квантовых ямах InxGa[1-x] As/GaAs точечных дефектов. Последние приводят к "красному" сдвигу пиков фотолюминесцентного излучения квантовых ям и служат центрами безызлучательной рекомбинации, что вызывает гашение фотолюминесцентного излучения.
Ключевые слова арсенид галлия
импульсное лазерное облучение
светоизлучающие структуры
МОС-гидридная эпитаксия
гетеронаноструктуры
импульсный лазерный отжиг
квантовые ямы
Данилов, Ю. А.
Звонков, Б. Н.
Калентьева, И. Л.
Нежданов, А. В.
Парафин, А. Е.
Хомицкий, Д. В.
Антонов, И. Н.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343
Имя макрообъекта Вихрова_импульсное
Тип документа b