| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677689624 |
| Дата корректировки | 15:17:14 22 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.12.50234.9484 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Вихрова, О. В. | |
|
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs Электронный ресурс |
|
| Pulsed laser irradiation of GaAs-based light-emitting structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Исследованы эффекты воздействия импульсов эксимерного лазера KrF на кристаллические и оптические свойства структур с четырьмя квантовыми ямами InxGa[1-x]As/GaAs (x варьировалось от 0.08 до 0.25). Результаты, полученные методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения, показали, что высокое кристаллическое качество покровного слоя GaAs-структур сохраняется после воздействия лазерного излучения с плотностью энергии от 200 до 360мДж/см{2}. Экспериментально методом спектроскопии фотолюминесценции и посредством моделирования процесса лазерного отжига, представляющего собой решение задачи о распространении тепла в одномерной системе на основе GaAs, установлено, что термические воздействия, возникающие в гетероструктурах при импульсном лазерном облучении ниже порога плавления GaAs, приводят к релаксации механических напряжений, которая на начальных стадиях процесса обусловливает появление в квантовых ямах InxGa[1-x] As/GaAs точечных дефектов. Последние приводят к "красному" сдвигу пиков фотолюминесцентного излучения квантовых ям и служат центрами безызлучательной рекомбинации, что вызывает гашение фотолюминесцентного излучения. |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
|
импульсное лазерное облучение светоизлучающие структуры МОС-гидридная эпитаксия гетеронаноструктуры импульсный лазерный отжиг квантовые ямы |
|
|
Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Калентьева, И. Л. Нежданов, А. В. Парафин, А. Е. Хомицкий, Д. В. Антонов, И. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343 |
|
| Имя макрообъекта | Вихрова_импульсное |
| Тип документа | b |
