Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Антонов, И. Н.

Статьи. Автор - Антонов, И. Н.

• Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si
  Тихов, С. В., Горшков, О. Н., Антонов, И. Н., Тетельбаум, Д. И. , Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Морозов, А. И., Karakolis, P., Dimitrakis, P.
  
  Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si[3]N[4], изготовленных на основе проводящей подложки Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1436-1442 .- Тихов_особенности
• Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом
  Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Крюков, Р. Н., Антонов, И. Н., Алафердов, А. В., Кунькова, З. Э., Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г.
  
  Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2137-2140 .- Данилов_исследование
• Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
  
  Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806 Звонков_формирование
• Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Калентьева, И. Л., Нежданов, А. В., Парафин, А. Е., Хомицкий, Д. В., Антонов, И. Н.
  
  Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343 Вихрова_импульсное
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Антонов, И. Н.
  
  Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1286-1290 Калентьева_влияние
• Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
  Филатов, Д. О., Антонов, Д. А., Антонов, И. Н., Белов, А. И., Баранова, В. Н., Шенина, М. Е., Горшков, О. Н.
  
  Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 4. - С. 556-561 .- Филатов_резистивное
• Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
  Кудрин, А. В. , Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Питиримова, Е. А., Антонов, И. Н.
  
  Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2200-2202 .- Кудрин_однофазные
• Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
  Зубков, С. Ю. , Антонов, И. Н., Горшков, О. Н., Касаткин, А. П., Крюков, Р. Н., Николичев, Д. Е., Павлов, Д. А., Шенина, М. Е.
  
  Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 3. - С. 591-595 .- Зубков_рентгеновская
• Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник
  Коряжкина, М. Н., Тихов, С. В., Горшков, О. Н., Касаткин, А. П., Антонов, И. Н.
  
  Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1639-1643 .- Коряжкина_электрические
• Тонкая структура импедансных спектров кристаллов с пьезоэлектрическим эффектом
  Гоффман, В. Г., Компан, М. Е., Гороховский, А. В., Горшков, Н. В., Байняшев, А. В., Телегина, О. С., Воронкова, В. И., Антонов, И. Н., Агапова, Ю. В.
  
  Тонкая структура импедансных спектров кристаллов с пьезоэлектрическим эффектом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 449-452 .- Гоффман_тонкая