Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
  Рыбальченко, Д. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 94-100 Рыбальченко_оптимизация
• Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
  Емельянов, В. М., Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Хвостиков, В. П., Шварц, М. З.
  
  Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 1. - С. 125-131 .- Емельянов_моделирование
• Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs
  Надточий, А. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Рувимов, С. C., Неведомский, В. Н., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 57-62 Надточий_оптические
• Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
  Салий, Р. А., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In[0.8]Ga[0.2]As и фотоэлектрических преобразователей на их основе, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1079-1087 Салий_сравнительный
• Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Рувимов, С. С., Жуков, А. Е.
  
  Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 372-377 Минтаиров_оптические
• Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
  Минтаиров, С. А., Емельянов, В. М., Рыбальченко, Д. В., Салий, Р. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs, [Текст] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 525-530 .- Минтаиров_гетероструктуры
• Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Жуков, А. Е.
  
  Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 704-710 Минтаиров_квантовые
• Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
  Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Тимошина, Н. Х., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 7. - С. 987-992 .- Минтаиров_растекание
• Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Николаев, Д. Н., Prutskij, Тatiana
  
  Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1131-1137 Середин_экспериментальные
• Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
  Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.] 1 файл (282 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
• In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
  Салий, Р. А., Косарев, И. С., Минтаиров, С. А., Надточий, А. М., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  In[0.8]Ga[0.2]As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 7. - С. 729-735 .- Салий_In
• Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Неведомский, В. Н., Сокура, Л. А., Рувимов, С. С., Шварц, М. З., Жуков, А. Е.
  
  Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136 Минтаиров_многослойные
• Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
  Минтаиров, М. А., Евстропов, В. В., Минтаиров, С. А., Салий, Р. А., Шварц, М. З., Калюжный, Н. А.
  
  Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1126-1130 Минтаиров_рекомбинация
• Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
  Надточий, А. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Паюсов, А. С., Rouvimov, S. S., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1202-1207 .- Надточий_оптические
• Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
  Хвостиков, B. П., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Емельянов, В. М., Тимошина, Н. Х., Андреев, В. М.
  
  Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1242-1246 .- Хвостиков_фотоэлектрический
• Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
  Жуков, А. Е. , Гордеев, Н. Ю., Шерняков, Ю. М., Паюсов, А. С., Серин, А. А., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В.
  
  Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1351-1356 Жуков_снижение
• Предельная температура генерации микродисковых лазеров
  Жуков, А. Е. , Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В.
  
  Предельная температура генерации микродисковых лазеров, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 570-574 Жуков_предельная
• Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
  Емельянов, В. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Нахимович, М. В., Салий, Р. А., Шварц, М. З.
  
  Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 400-407 Емельянов_влияние