-
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Кудрявцев, К. Е., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Фефелов, А. Г., Юрасов, Д. В.
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1530-1533
Алешкин_технология
-
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Павлов, Д. А., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1579-1582
Байдусь_особенности
-
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Юнин, П. А., Юрасов, Д. В.
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 .-
Байдусь_применение
-
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
Байдусь, Н. В., Кукушкин, В. А., Некоркин, С. М., Круглов, А. В., Реунов, Д. Г.
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 345-350
Байдусь_выращивание
-
Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
Некоркин, С. М., Дикарёва, Н. В., Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Дикарева, Н. В., Вихрова, О. В., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В.
Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 75-78
Некоркин_влияние
-
Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Некоркин, С. М., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Котомина, В. Е.
Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1443-1446
Звонков_оптический
-
Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
Алешкин, В. Я., Алёшкин, В. Я., Байдусь, Н. В., Дубинов, А. А., Красильник, З. Ф. , Некоркин, С. М., Новиков, А. В., Рыков, А. В., Юрасов, Д. В., Яблонский, А. Н.
Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001), [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 5. - С. 695-698 .-
Алешкин_стимулированное
-
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Некоркин, С. М., Колпаков, Д. А. , Ершов, А. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Афоненко, А. А.
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1509-1512
Байдусь_метод
-
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
Байдусь, Н. В., Кукушкин, В. А., Звонков, Б. Н. , Некоркин, С. М.
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1576-1582 .-
Байдусь_наногетероструктуры
-
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
Яблонский, А. Н. , Алёшкин, В. Я., Морозов, С. В., Гапонова, Д. М., Алешкин, В. Я., Шенгуров, В. Г., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Байдусь, Н. В., Красильник, З. Ф.
Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1455-1458
Яблонский_стимулированное
