| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы свойства квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной миграционно-стимулированной эпитаксии при пониженном давлении с применением субмонослойного осаждения. Длина волны их фотолюминесценции при 300K находится в диапазоне 1.28-1.31 мкм, ею можно управлять путем изменения температуры роста и числа циклов осаждения квантовых точек. Максимальная поверхностная плотность квантовых точек 3 · 10{10} см{-2}. Выращены структуры с 1-3 слоями квантовых точек с толщинами спейсерных слоев между ними 5-12 нм и селективным легированием последних (а также покровных слоев) углеродом (акцептор). Установлено, что фотолюминесценция квантовых точек характеризуется повышенной степенью поляризации в ортогональном плоскости структуры направлении, что должно благоприятствовать их применению для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов в светоизлучающих диодах Шоттки. |
| Ключевые слова | МОС-гидридная эпитаксия |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 3. - С. 345-350 |
|
| Имя макрообъекта | Байдусь_выращивание |
