| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6-8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров. |
| Ключевые слова | лазерные гетероструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 75-78 |
|
| Имя макрообъекта | Некоркин_влияние |
