Поиск

Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки

Авторы: Байдусь, Н. В. Кукушкин, В. А. Звонков, Б. Н. Некоркин, С. М.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
Электронный ресурс
Аннотация В результате теоретического и экспериментального анализа найдены параметры гетероструктур с квантовыми точками InAs в матрице GaAs, обеспечивающие создание на таких структурах быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки для ближней инфракрасной области. Квантовые точки должны располагаться на сильно легированном (вплоть до концентрации легирующей примеси 10{19} см{-3}) буферном слое GaAs и отделяться от металла тонким (толщиной 10-30 нм) нелегированным покровным слоем GaAs. Граница раздела металла (например, золота) с GaAs обеспечит эффективное рассеяние поверхностных плазмон-поляритонов в обычные фотоны в случае, если она имеет неоднородности в виде заполненных металлом впадин в GaAs с характерным размером ~ 30 нм и поверхностной концентрацией, превышающей 10{10} см{-2}.
Ключевые слова наногетероструктуры
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 11. - С. 1576-1582
Имя макрообъекта Байдусь_наногетероструктуры