| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675166122 |
| Дата корректировки | 10:22:03 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Байдусь, Н. В. | |
|
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки Электронный ресурс |
|
| Nanoheterostructures with improved characteristics for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | В результате теоретического и экспериментального анализа найдены параметры гетероструктур с квантовыми точками InAs в матрице GaAs, обеспечивающие создание на таких структурах быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки для ближней инфракрасной области. Квантовые точки должны располагаться на сильно легированном (вплоть до концентрации легирующей примеси 10{19} см{-3}) буферном слое GaAs и отделяться от металла тонким (толщиной 10-30 нм) нелегированным покровным слоем GaAs. Граница раздела металла (например, золота) с GaAs обеспечит эффективное рассеяние поверхностных плазмон-поляритонов в обычные фотоны в случае, если она имеет неоднородности в виде заполненных металлом впадин в GaAs с характерным размером ~ 30 нм и поверхностной концентрацией, превышающей 10{10} см{-2}. |
| Ключевые слова | наногетероструктуры |
|
светодиоды Шоттки квантовые точки плазмон-поляритоны полупроводниковая оптоэлектроника фотолюминесценция |
|
|
Кукушкин, В. А. Звонков, Б. Н. Некоркин, С. М. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 11. - С. 1576-1582 |
| Имя макрообъекта | Байдусь_наногетероструктуры |
| Тип документа | b |
