-
Способ увеличения используемой доли излучения центров окраски в алмазе
Кукушкин, В. А., Кукушкин, Ю. В.
Способ увеличения используемой доли излучения центров окраски в алмазе, В. А. Кукушкин, Ю. В. Кукушкин
1 файл (164 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2024 .-
Т. 132, № 6. - С. 637-642 .-
-
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
Байдусь, Н. В., Кукушкин, В. А., Некоркин, С. М., Круглов, А. В., Реунов, Д. Г.
Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 345-350
Байдусь_выращивание
-
Технологические аспекты получения комплексных полимерных добавок на основе отходов полимерных материалов для модификации дорожных битумов
Сульман, Э. М., Кукушкин, В. А., Сульман, М. Г. , Тимофеев, А. Г.
Технологические аспекты получения комплексных полимерных добавок на основе отходов полимерных материалов для модификации дорожных битумов, [Текст]
табл.2
Химия и химическая технология. Известия вузов , 2008, Т.51, № 12.- С. 63-66
-
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
Байдусь, Н. В., Кукушкин, В. А., Звонков, Б. Н. , Некоркин, С. М.
Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1576-1582 .-
Байдусь_наногетероструктуры
