-
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Емельянов, Е. А., Васёв, А. В., Васев, А. В., Семягин, Б. Р. , Есин, М. Ю., Лошкарев, И. Д., Василенко, А. П., Путято, М. А., Петрушков, М. О., Преображенский, В. В.
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 512-519
Емельянов_рост
-
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
Алёшкин, В. Я., Фадеев, М. А., Румянцев, В. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Морозов, С. В., Семягин, Б. Р. , Путято, М. А., Преображенский, В. В., Гавриленко, В. И.
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 9. - С. 929-932 .-
Уточкин_спектры
-
Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Криштопенко, С. С., Иконников, А. В., Маремьянин, К. В., Бовкун, Л. С., Кадыков, А. М., Семягин, Б. Р. , Путято, М. А., Емельянов, Е. А., Преображенский, В. В., Гавриленко, В. И.
Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 1. - С. 40-44 .-
Криштопенко_циклотронный
-
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Петрушков, М. О., Васёв, А. В., Абрамкин, Д. С., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Лошкарев, И. Д., Есин, М. Ю., Комков, О. С., Фирсов, Д. Д., Преображенский, В. В.
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295
Петрушков_влияние
-
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
Ушанов, В. И., Чалдышев, В. В., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1597-1600
Ушанов_диффузионное
-
Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
Абрамкин, Д. С., Бакаров, А. К., Путято, М. А., Емельянов, Е. А., Колотовкина, Д. А., Гутаковский, А. К., Шамирзаев, Т. С.
Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1282-1288
Абрамкин_формирование
-
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
Абрамкин, Д. С., Петрушков, М. О., Путято, М. А., Семягин, Б. Р. , Шамирзаев, Т. С.
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1373-1379
Абрамкин_гетероструктуры
-
Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al[0.29]Ga[0.71]As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц
Косарев, А. Н., Чалдышев, В. В., Вартанян, Т. А., Торопов, Н. А., Гладских, И. А., Гладских, П. В., Bayer, M., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al[0.29]Ga[0.71]As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц, [Электронный ресурс]
ил., схем.
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 126, вып. 5. - С. 573-577
Косарев_эпитаксиальные
-
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
Косарев, А. Н., Чалдышев, В. В., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1519-1526
Косарев_влияние
-
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
Ушанов, В. И., Чалдышев, В. В., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1620-1624 .-
Ушанов_брэгговский
