| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследовано влияние степени отклонения подложки от сингулярной грани на состав и морфологию слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на поверхности GaAs. В качестве подложек использованы пластины GaAs с ориентацией (100), отклоненные в направлении [110] на 0, 1, 2 и 5°. Рост гетероструктур выполнен для температур 310 и 380°С. Изучено влияние молекулярной формы мышьяка (As[2] либо As[4]) на состав слоев. Исследования состава и структурных свойств осуществлены методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и атомно-силовой микроскопии. Установлено, что в ряду отклонений 0 - 5° доля мышьяка x последовательно увеличивается как при использовании потока молекул As[2], так и As[4]. При использовании потока молекул As[2] доля x с увеличением степени отклонения возрастает незначительно (в 1.05 раза), а при использовании молекул As[4] наблюдается ее возрастание в 1.75 раза. Повышение температуры роста приводит к увеличению доли мышьяка в твердом растворе. Морфология поверхности улучшается при увеличении степени отклонения при низкой температуре роста и ухудшается при высокой. |
| Ключевые слова | твердые растворы |
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 512-519 |
|
| Имя макрообъекта | Емельянов_рост |
