| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695900129 |
| Дата корректировки | 9:46:26 19 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.04.47451.8981 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Емельянов, Е. А. | |
|
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние степени отклонения подложки от сингулярной грани на состав и морфологию слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на поверхности GaAs. В качестве подложек использованы пластины GaAs с ориентацией (100), отклоненные в направлении [110] на 0, 1, 2 и 5°. Рост гетероструктур выполнен для температур 310 и 380°С. Изучено влияние молекулярной формы мышьяка (As[2] либо As[4]) на состав слоев. Исследования состава и структурных свойств осуществлены методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и атомно-силовой микроскопии. Установлено, что в ряду отклонений 0 - 5° доля мышьяка x последовательно увеличивается как при использовании потока молекул As[2], так и As[4]. При использовании потока молекул As[2] доля x с увеличением степени отклонения возрастает незначительно (в 1.05 раза), а при использовании молекул As[4] наблюдается ее возрастание в 1.75 раза. Повышение температуры роста приводит к увеличению доли мышьяка в твердом растворе. Морфология поверхности улучшается при увеличении степени отклонения при низкой температуре роста и ухудшается при высокой. |
| Служебное примечание | Васёв, А. В. |
| Ключевые слова | твердые растворы |
|
молекулярно-лучевая эпитаксия морфология поверхности подложки GaAs пленки твердых растворов |
|
|
Васев, А. В. Семягин, Б. Р. Есин, М. Ю. Лошкарев, И. Д. Василенко, А. П. Путято, М. А. Петрушков, М. О. Преображенский, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 4. - С. 512-519 |
|
| Имя макрообъекта | Емельянов_рост |
| Тип документа | b |
