-
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Емельянов, Е. А., Васёв, А. В., Васев, А. В., Семягин, Б. Р. , Есин, М. Ю., Лошкарев, И. Д., Василенко, А. П., Путято, М. А., Петрушков, М. О., Преображенский, В. В.
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 512-519
Емельянов_рост
-
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Петрушков, М. О., Васёв, А. В., Абрамкин, Д. С., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Лошкарев, И. Д., Есин, М. Ю., Комков, О. С., Фирсов, Д. Д., Преображенский, В. В.
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295
Петрушков_влияние
-
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
Абрамкин, Д. С., Петрушков, М. О., Путято, М. А., Семягин, Б. Р. , Шамирзаев, Т. С.
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1373-1379
Абрамкин_гетероструктуры
