| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием переходных слоев AlSb/As/Si выращены пленки GaSb на вицинальных подложках Si(001), отклоненных на 6° к плоскости (111). Исследовано влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства и характер рельефа поверхности. Обнаружено, что пленки GaSb(001)/Si характеризуются лучшим структурным совершенством, меньшей концентрацией точечных дефектов и более планарным и изотропным рельефом поверхности по сравнению с пленками GaSb(001). Возможной причиной наблюдаемых отличий у пленок GaSb с различной ориентацией является повышенная плотность антифазных доменов в пленках GaSb(001). Морфологические особенности выращенных пленок обусловлены в основном наличием краев террас и в меньшей степени анизотропией встраивания адатомов Ga в края террас. |
| Ключевые слова | кристаллографическая ориентация пленок |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295 |
|
| Имя макрообъекта | Петрушков_влияние |
