Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/677785115 |
Дата корректировки | 17:44:23 23 июня 2021 г. |
10.21883/FTP.2020.12.50227.9496 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Петрушков, М. О. | |
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
Influence of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates by MBE | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
Аннотация | Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием переходных слоев AlSb/As/Si выращены пленки GaSb на вицинальных подложках Si(001), отклоненных на 6° к плоскости (111). Исследовано влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства и характер рельефа поверхности. Обнаружено, что пленки GaSb(001)/Si характеризуются лучшим структурным совершенством, меньшей концентрацией точечных дефектов и более планарным и изотропным рельефом поверхности по сравнению с пленками GaSb(001). Возможной причиной наблюдаемых отличий у пленок GaSb с различной ориентацией является повышенная плотность антифазных доменов в пленках GaSb(001). Морфологические особенности выращенных пленок обусловлены в основном наличием краев террас и в меньшей степени анизотропией встраивания адатомов Ga в края террас. |
Лошкарёв, И. Д. Васёв, А. В. Ёсин, М. Ю. |
|
Ключевые слова | кристаллографическая ориентация пленок |
гетероэпитаксия вицинальные подложки молекулярно-лучевая эпитаксия структурное совершенство морфология поверхности |
|
Абрамкин, Д. С. Емельянов, Е. А. Путято, М. А. Васев, А. В. Лошкарев, И. Д. Есин, М. Ю. Комков, О. С. Фирсов, Д. Д. Преображенский, В. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295 |
|
Имя макрообъекта | Петрушков_влияние |
Тип документа | b |