Поиск

Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Авторы: Петрушков, М. О. Васёв, А. В. Абрамкин, Д. С. Емельянов, Е. А. Путято, М. А. Лошкарев, И. Д. Есин, М. Ю. Комков, О. С. Фирсов, Д. Д. Преображенский, В. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/677785115
Дата корректировки 17:44:23 23 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.12.50227.9496
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Петрушков, М. О.
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Электронный ресурс
Influence of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates by MBE
Иллюстрации/ тип воспроизводства цв. ил., табл.
Библиография Библиогр.: 26 назв.
Аннотация Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием переходных слоев AlSb/As/Si выращены пленки GaSb на вицинальных подложках Si(001), отклоненных на 6° к плоскости (111). Исследовано влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства и характер рельефа поверхности. Обнаружено, что пленки GaSb(001)/Si характеризуются лучшим структурным совершенством, меньшей концентрацией точечных дефектов и более планарным и изотропным рельефом поверхности по сравнению с пленками GaSb(001). Возможной причиной наблюдаемых отличий у пленок GaSb с различной ориентацией является повышенная плотность антифазных доменов в пленках GaSb(001). Морфологические особенности выращенных пленок обусловлены в основном наличием краев террас и в меньшей степени анизотропией встраивания адатомов Ga в края террас.
Лошкарёв, И. Д.
Васёв, А. В.
Ёсин, М. Ю.
Ключевые слова кристаллографическая ориентация пленок
гетероэпитаксия
вицинальные подложки
молекулярно-лучевая эпитаксия
структурное совершенство
морфология поверхности
Абрамкин, Д. С.
Емельянов, Е. А.
Путято, М. А.
Васев, А. В.
Лошкарев, И. Д.
Есин, М. Ю.
Комков, О. С.
Фирсов, Д. Д.
Преображенский, В. В.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295
Имя макрообъекта Петрушков_влияние
Тип документа b