-
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Емельянов, Е. А., Васёв, А. В., Васев, А. В., Семягин, Б. Р. , Есин, М. Ю., Лошкарев, И. Д., Василенко, А. П., Путято, М. А., Петрушков, М. О., Преображенский, В. В.
Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 512-519
Емельянов_рост
-
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Петрушков, М. О., Васёв, А. В., Абрамкин, Д. С., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Лошкарев, И. Д., Есин, М. Ю., Комков, О. С., Фирсов, Д. Д., Преображенский, В. В.
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295
Петрушков_влияние
-
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
Есин, М. Ю., Никифоров, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., Дерябин, А. С., Пчеляков, О. П.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 3. - С. 409-413 .-
Есин_формирование
-
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Туктамышев, А. Р., Есин, М. Ю., Машанов, В. И., Гутаковский, А. К., Байдакова, Н. А.
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1610-1614
Тимофеев_напряженные
