|
Аннотация
|
Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600°С и при со скорости осаждения 0.652А/с предварительно нагретую до 1000°С подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35°, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 * 2. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 * 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652А/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей I[2*1]/I[1*2] уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700°С не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000°С. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800°С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100). |
