| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687884367 |
| Дата корректировки | 15:22:55 18 октября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.03.45630.8624 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Есин, М. Ю. |
| Заглавие | Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Formation of step Si(100) surface and its effect on Ge islands growth | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600°С и при со скорости осаждения 0.652А/с предварительно нагретую до 1000°С подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35°, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 * 2. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 * 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652А/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей I[2*1]/I[1*2] уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700°С не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000°С. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800°С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100). |
| Ключевые слова | ступенчатые поверхности |
|
островки Ge подложки Si(100) квантовые точки сверхструктуры отношение интенсивностей |
|
| Другие авторы | Никифоров, А. И. |
|
Тимофеев, В. А. Туктамышев, А. Р. Машанов, В. И. Лошкарев, И. Д. Дерябин, А. С. Пчеляков, О. П. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 3. - С. 409-413 |
| Имя макрообъекта | Есин_формирование |
| Тип документа | b |
