Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Туктамышев, А. Р.

Статьи. Автор - Туктамышев, А. Р.

• Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
  Блошкин, А. А., Якимов, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Никифоров, А. И., Мурашов, В. В.
  
  Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 342-347 Блошкин_разрывы
• Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
  Есин, М. Ю., Никифоров, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., Дерябин, А. С., Пчеляков, О. П.
  
  ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 3. - С. 409-413 .- Есин_формирование
• Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
  Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Туктамышев, А. Р., Есин, М. Ю., Машанов, В. И., Гутаковский, А. К., Байдакова, Н. А.
  
  Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1610-1614 Тимофеев_напряженные