| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si[0.7-y]Ge[0.3]Sn[y]/Si в диапазоне содержания олова y = 0.04-0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si[0.7-y]Ge[0.3]Sn[y] в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si[0.7-y]Ge[0.3]Sn[y]. |
| Ключевые слова | кремний |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 342-347 |
|
| Имя макрообъекта | Блошкин_разрывы |
