| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679071820 |
| Дата корректировки | 15:14:47 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44205.8343 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Блошкин, А. А. | |
|
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова Электронный ресурс |
|
| Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin content | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si[0.7-y]Ge[0.3]Sn[y]/Si в диапазоне содержания олова y = 0.04-0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si[0.7-y]Ge[0.3]Sn[y] в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si[0.7-y]Ge[0.3]Sn[y]. |
| Ключевые слова | кремний |
|
спектроскопия адмиттанса гетероструктуры квантовые ямы молекулярно-лучевая эпитаксия германий олово полупроводники |
|
|
Якимов, А. И. Тимофеев, В. А. Туктамышев, А. Р. Никифоров, А. И. Мурашов, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 342-347 |
|
| Имя макрообъекта | Блошкин_разрывы |
| Тип документа | b |
