-
Использование нуклида [[p]]33[[/p]]S для определения дисперсности частиц сульфидной фазы MoS[[d]]2[[/d]], нанесенной на мезопористый оксид кремния
Попов, А. Г., Никифоров, А. И., Сушкевич, В. Л., Тябликов, И. А., Иванова, И. И.
Использование нуклида [[p]]33[[/p]]S для определения дисперсности частиц сульфидной фазы MoS[[d]]2[[/d]], нанесенной на мезопористый оксид кремния, [[Текст]], А. Г. Попов [и др.]
// Нефтехимия .-
2019 .-
Т. 59, № 4. - С. 477-482 .-
-
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
Блошкин, А. А., Якимов, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Никифоров, А. И., Мурашов, В. В.
Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 342-347
Блошкин_разрывы
-
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
Есин, М. Ю., Никифоров, А. И., Тимофеев, В. А., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., Дерябин, А. С., Пчеляков, О. П.
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 3. - С. 409-413 .-
Есин_формирование
-
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Туктамышев, А. Р., Есин, М. Ю., Машанов, В. И., Гутаковский, А. К., Байдакова, Н. А.
Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1610-1614
Тимофеев_напряженные
