Поиск

Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si

Авторы: Абрамкин, Д. С. Петрушков, М. О. Путято, М. А. Семягин, Б. Р. Шамирзаев, Т. С.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
Электронный ресурс
Ключевые слова гетероструктуры
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 11. - С. 1373-1379
Имя макрообъекта Абрамкин_гетероструктуры