| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690292218 |
| Дата корректировки | 11:54:45 15 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.11.46601.23 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Абрамкин, Д. С. | |
|
Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si Электронный ресурс |
|
| Heterostructures with InAs/AlAs quantum wells and quantum dots formed on hybrid GaAs/Si substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5-80K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое - тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
квантовые ямы квантовые точки гибридные подложки спектры фотолюминесценции фотолюминесценция арсенид алюминия арсенид индия |
|
|
Петрушков, М. О. Путято, М. А. Семягин, Б. Р. Шамирзаев, Т. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1373-1379 |
|
| Имя макрообъекта | Абрамкин_гетероструктуры |
| Тип документа | b |
