Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Васев, А. В.

Статьи. Автор - Васев, А. В.

• Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  Емельянов, Е. А., Васёв, А. В., Васев, А. В., Семягин, Б. Р. , Есин, М. Ю., Лошкарев, И. Д., Василенко, А. П., Путято, М. А., Петрушков, М. О., Преображенский, В. В.
  
  Рост твердых растворов InAs[x]Sb[1-x] на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 512-519 Емельянов_рост
• Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  Петрушков, М. О., Васёв, А. В., Абрамкин, Д. С., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Лошкарев, И. Д., Есин, М. Ю., Комков, О. С., Фирсов, Д. Д., Преображенский, В. В.
  
  Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс] цв. ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295 Петрушков_влияние