| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследовалось оптическое отражение от периодических структур на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей двумерные массивы плазмонных нановключений AsSb. Число слоев нановключений составляло 12 и 24, номинальный период расположения слоев - 100 или 110 нм соответственно. В экспериментальных спектрах коэффициента оптического отражения при нормальном падении нами наблюдалась резонансная брэгговская дифракция с главными пиками на длинах волн 757 и 775 нм (1.64 и 1.60 эВ), в зависимости от пространственного периода наноструктуры. Амплитуды резонансных пиков достигали 22 и 31% при числе слоев 12 и 24, при том что объемная доля нановключений была существенно меньше 1%. В случае наклонного падения света картина брэгговской дифракции смещалась в соответствии с законом Вульфа-Брэгга. Методом матриц переноса выполнено численное моделирование экспериментальных данных с учетом пространственной геометрии структуры и резонансных особенностей плазмонных слоев AsSb. |
| Ключевые слова | брэгговский резонанс |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1620-1624 |
| Имя макрообъекта | Ушанов_брэгговский |
