| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675422036 |
| Дата корректировки | 9:29:52 27 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ушанов, В. И. | |
|
Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs Электронный ресурс |
|
| Bragg resonance in a system of AsSb plasmon nanoinclusions in AlGaAs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Исследовалось оптическое отражение от периодических структур на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей двумерные массивы плазмонных нановключений AsSb. Число слоев нановключений составляло 12 и 24, номинальный период расположения слоев - 100 или 110 нм соответственно. В экспериментальных спектрах коэффициента оптического отражения при нормальном падении нами наблюдалась резонансная брэгговская дифракция с главными пиками на длинах волн 757 и 775 нм (1.64 и 1.60 эВ), в зависимости от пространственного периода наноструктуры. Амплитуды резонансных пиков достигали 22 и 31% при числе слоев 12 и 24, при том что объемная доля нановключений была существенно меньше 1%. В случае наклонного падения света картина брэгговской дифракции смещалась в соответствии с законом Вульфа-Брэгга. Методом матриц переноса выполнено численное моделирование экспериментальных данных с учетом пространственной геометрии структуры и резонансных особенностей плазмонных слоев AsSb. |
| Ключевые слова | брэгговский резонанс |
|
плазмонные нановключения полупроводниковые матрицы резонансная брэгговская дифракция резонансное отражение закон Вульфа-Брэгга |
|
|
Чалдышев, В. В. Преображенский, В. В. Путято, М. А. Семягин, Б. Р. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1620-1624 |
| Имя макрообъекта | Ушанов_брэгговский |
| Тип документа | b |
