Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Чалдышев, В. В.

Статьи. Автор - Чалдышев, В. В.

• Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
  Ушанов, В. И., Чалдышев, В. В., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
  
  Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1597-1600 Ушанов_диффузионное
• Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al[0.29]Ga[0.71]As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц
  Косарев, А. Н., Чалдышев, В. В., Вартанян, Т. А., Торопов, Н. А., Гладских, И. А., Гладских, П. В., Bayer, M., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
  
  Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al[0.29]Ga[0.71]As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц, [Электронный ресурс] ил., схем. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 126, вып. 5. - С. 573-577 Косарев_эпитаксиальные
• Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
  Большаков, А. С., Чалдышев, В. В., Заварин, Е. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В., Цацульников, А. Ф.
  
  Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1451-1454 .- Большаков_оптическая
• Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
  Косарев, А. Н., Чалдышев, В. В., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
  
  Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1519-1526 Косарев_влияние
• Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
  Ушанов, В. И., Чалдышев, В. В., Преображенский, В. В., Путято, М. А., Семягин, Б. Р.
  
  Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 12. - С. 1620-1624 .- Ушанов_брэгговский