Поиск

Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре

Авторы: Ушанов, В. И. Чалдышев, В. В. Преображенский, В. В. Путято, М. А. Семягин, Б. Р.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
Электронный ресурс
Ключевые слова квантовые ямы GaAs
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 13. - С. 1597-1600
Имя макрообъекта Ушанов_диффузионное