Поиск

Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs

Авторы: Косарев, А. Н. Чалдышев, В. В. Преображенский, В. В. Путято, М. А. Семягин, Б. Р.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
Электронный ресурс
Аннотация Проводились исследования фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InAs, поверх которых был выращен слой GaAs в низкотемпературном режиме (LT-GaAs), с использованием различных разделительных слоев или без них. Под разделительными слоями подразумеваются тонкие слои GaAs или AlAs, выращенные при нормальных для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) температурах. Прямое заращивание привело к исчезновению фотолюминесценции. При использовании тонкого разделительного слоя GaAs фотолюминесценция из квантовых точек InAs частично восстановилась, но ее интенсивность оказалась на 2 порядка меньше, чем в референтном образце, в котором заращивание массива квантовых точек производилось при нормальной температуре. Использование более широкозонного AlAs в качестве материала разделительного слоя привело к усилению фотолюминесценции из квантовых точек InAs, но она все еще была более чем на порядок слабее относительно излучения референтного образца. Построена модель, учитывающая процессы генерации носителей светом, их диффузии и туннелирования из квантовых точек в слой LT-GaAs.
Ключевые слова фотолюминесценция
Физика и техника полупроводников
2016
Т. 50, вып. 11. - С. 1519-1526
Имя макрообъекта Косарев_влияние