| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675189966 |
| Дата корректировки | 16:53:12 24 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Косарев, А. Н. | |
|
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs Электронный ресурс |
|
| Influence of GaAs layer grown at low temperature on InAs quantum dots photoluminescence | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Проводились исследования фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InAs, поверх которых был выращен слой GaAs в низкотемпературном режиме (LT-GaAs), с использованием различных разделительных слоев или без них. Под разделительными слоями подразумеваются тонкие слои GaAs или AlAs, выращенные при нормальных для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) температурах. Прямое заращивание привело к исчезновению фотолюминесценции. При использовании тонкого разделительного слоя GaAs фотолюминесценция из квантовых точек InAs частично восстановилась, но ее интенсивность оказалась на 2 порядка меньше, чем в референтном образце, в котором заращивание массива квантовых точек производилось при нормальной температуре. Использование более широкозонного AlAs в качестве материала разделительного слоя привело к усилению фотолюминесценции из квантовых точек InAs, но она все еще была более чем на порядок слабее относительно излучения референтного образца. Построена модель, учитывающая процессы генерации носителей светом, их диффузии и туннелирования из квантовых точек в слой LT-GaAs. |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
|
квантовые точки полупроводниковые квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковые лазеры арсенид галлия арсенид индия полупроводники |
|
|
Чалдышев, В. В. Преображенский, В. В. Путято, М. А. Семягин, Б. Р. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 11. - С. 1519-1526 |
|
| Имя макрообъекта | Косарев_влияние |
| Тип документа | b |
