| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм-1мкм) дефектные островки, расположенные на слое InxAl[1-x]Sb[y]As[1-y] квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (~ 10 нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из In[x]Al[1-x]Sb[y]As[1-y]. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия. |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1282-1288 |
|
| Имя макрообъекта | Абрамкин_формирование |
