Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/681579425 |
Дата корректировки | 15:43:17 6 августа 2021 г. |
10.21883/FTP.2017.09.44896.8488 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Абрамкин, Д. С. | |
Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs Электронный ресурс |
|
Formation of low-dimensional structures in InSb/AlAs heterosystem | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 39 назв. |
Аннотация | Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм-1мкм) дефектные островки, расположенные на слое InxAl[1-x]Sb[y]As[1-y] квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (~ 10 нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из In[x]Al[1-x]Sb[y]As[1-y]. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия. |
низкоразмерные гетероструктуры гетероструктуры квантовые ямы наноостровки молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводники антимонид индия арсенид алюминия |
|
Бакаров, А. К. Путято, М. А. Емельянов, Е. А. Колотовкина, Д. А. Гутаковский, А. К. Шамирзаев, Т. С. |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1282-1288 |
|
Имя макрообъекта | Абрамкин_формирование |
Тип документа | b |