Поиск

Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs

Авторы: Абрамкин, Д. С. Бакаров, А. К. Путято, М. А. Емельянов, Е. А. Колотовкина, Д. А. Гутаковский, А. К. Шамирзаев, Т. С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/681579425
Дата корректировки 15:43:17 6 августа 2021 г.
10.21883/FTP.2017.09.44896.8488
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Абрамкин, Д. С.
Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
Электронный ресурс
Formation of low-dimensional structures in InSb/AlAs heterosystem
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 39 назв.
Аннотация Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм-1мкм) дефектные островки, расположенные на слое InxAl[1-x]Sb[y]As[1-y] квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (~ 10 нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из In[x]Al[1-x]Sb[y]As[1-y]. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия.
низкоразмерные гетероструктуры
гетероструктуры
квантовые ямы
наноостровки
молекулярно-лучевая эпитаксия
полупроводники
антимонид индия
арсенид алюминия
Бакаров, А. К.
Путято, М. А.
Емельянов, Е. А.
Колотовкина, Д. А.
Гутаковский, А. К.
Шамирзаев, Т. С.
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 9. - С. 1282-1288
Имя макрообъекта Абрамкин_формирование
Тип документа b