Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Гутаковский, А. К.

Статьи. Автор - Гутаковский, А. К.

• Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
  Абрамкин, Д. С., Бакаров, А. К., Путято, М. А., Емельянов, Е. А., Колотовкина, Д. А., Гутаковский, А. К., Шамирзаев, Т. С.
  
  Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 9. - С. 1282-1288 Абрамкин_формирование
• Распад перенасыщенного твердого раствора железа в GaAs
  Прудаев, И. А., Хлудков, С. С., Гутаковский, А. К., Новиков, В. А., Толбанов, О. П., Ивонин, И. В.
  
  Распад перенасыщенного твердого раствора железа в GaAs, [Текст] ил. Неорганические материалы, 2012, Т. 48, № 2. - С. 133-135
• Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
  Абрамкин, Д. С., Бакаров, А. К., Гутаковский, А. К., Шамирзаев, Т. С.
  
  Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1280-1285 Абрамкин_спинодальный
• Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
  Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Туктамышев, А. Р., Есин, М. Ю., Машанов, В. И., Гутаковский, А. К., Байдакова, Н. А.
  
  Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1610-1614 Тимофеев_напряженные
• Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)
  Болховитянов, Ю. Б., Гутаковский, А. К., Дерябин, А. И., Соколов, Л. В.
  
  Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001), [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 2. - С. 284-287 .- Болховитянов_образование