| Индекс УДК | 539.21 |
|
Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В гетероструктурах (ГС) Ge/LTGe/GeSi/Si(001) буферный слой GeSi в определенном диапазоне параметров ГС и режимов их роста остается псевдоморфным, в то время как пленка Ge полностью релаксирована за счет сетки краевых дислокаций, расположенной на границе раздела Ge/GeSi. В работе экспериментально показано, что наряду с краевыми дислокациями образуются дислокации с векторами Бюргерса типа a[0](100). Их формирование обусловлено реакцией 60°-х дислокаций, имеющих однонаправленную винтовую компоненту. При этом, если в процессе релаксации буферного слоя краевые дислокации расщеплялись с образованием дислокационного комплекса краевого типа, в котором 60°-е дислокации оставались связанными, то дислокации с векторами Бюргерса a[0](001) расщеплялись на две независимые 60°-е дислокации. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| Другие авторы | Гутаковский, А. К. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 2. - С. 284-287 |
| Имя макрообъекта | Болховитянов_образование |
