| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676046040 |
| Дата корректировки | 15:36:52 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.02.47127.139 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Болховитянов, Ю. Б. | |
|
Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | В гетероструктурах (ГС) Ge/LTGe/GeSi/Si(001) буферный слой GeSi в определенном диапазоне параметров ГС и режимов их роста остается псевдоморфным, в то время как пленка Ge полностью релаксирована за счет сетки краевых дислокаций, расположенной на границе раздела Ge/GeSi. В работе экспериментально показано, что наряду с краевыми дислокациями образуются дислокации с векторами Бюргерса типа a[0](100). Их формирование обусловлено реакцией 60°-х дислокаций, имеющих однонаправленную винтовую компоненту. При этом, если в процессе релаксации буферного слоя краевые дислокации расщеплялись с образованием дислокационного комплекса краевого типа, в котором 60°-е дислокации оставались связанными, то дислокации с векторами Бюргерса a[0](001) расщеплялись на две независимые 60°-е дислокации. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
пленки структурные дефекты в пленках дислокации краевые дислокации |
|
| Другие авторы | Гутаковский, А. К. |
|
Дерябин, А. И. Соколов, Л. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 2. - С. 284-287 |
| Имя макрообъекта | Болховитянов_образование |
| Тип документа | b |
