Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Пихтин, Н. А.

Статьи. Автор - Пихтин, Н. А.

• Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
  Бабичев, А. В., Денисов, Д. В., Гладышев, А. Г., Слипченко, С. О., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Фирсов, Д. А., Воробьев, Л. Е., Пихтин, Н. А., Егоров, А. Ю.
  
  Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров, [Электронный ресурс] ил. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып 6. - С. 696-700 Бабичев_исследование спектров
• Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
  Бабичев, А. В., Гладышев, А. Г., Колодезный, Е. С., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Денисов, Д. В., Фирсов, Д. А., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Егоров, А. Ю.
  
  Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров, [Электронный ресурс] ил. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 8. - С. 1165-1170 Бабичев_спектральные
• Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
  Лубянский, Я. В., Золотарёв, В. В., Бондарев, А. Д., Сошников, И. П., Берт, Н. А., Золотарев, В. В., Кириленко, Д. А., Котляр, К. П., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С.
  
  Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 196-200 Лубянский_влияние
• Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой
  Бабичев, А. В., Бабичёв, А. В., Гладышев, А. Г., Денисов, Д. В., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Boulley, L., Bousseksou, A., Пихтин, Н. А., Егоров, А. Ю.
  
  Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой, [Электронный ресурс] ил. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 2. - С. 278-282 Бабичев_генерация квантово-каскадного
• Быстродействующие мостиковые фотоприемники для средней инфракрасной области спектра
  Пивоварова, А. А., Куницына, Е. В., Коновалов, Г. Г., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Андреев, И. А., Пихтин, Н. А., Ильинская, Н. Д., Черняков, А. Е., Яковлев, Ю. П.
  
  Быстродействующие мостиковые фотоприемники для средней инфракрасной области спектра, А. А. Пивоварова, Е. В. Куницына, Г. Г. Коновалов [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2023 .- Т. 90, № 1. - С. 102-108 .-
• Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
  Гаврина, П. С., Соболева, О. С., Подоскин, А. А., Казакова, А. Е., Капитонов, В. А., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А.
  
  Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 734-742 Гаврина_исследование
• Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах
  Соколова, З. Н., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Асрян, Л. В.
  
  Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 679-682 .- Соколова_скорость
• Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле
  Иванов, С. А., Золотарёв, В. В., Никоноров, Н. В., Игнатьев, А. И., Золотарев, В. В., Лубянский, Я. В., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С.
  
  Сужение спектральной полосы излучения мощного лазерного диода объемной брэгговской решеткой на фото-термо-рефрактивном стекле, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 801-806 Иванов_сужение
• Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Пихтин, Н. А.
  
  Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 881-890 Середин_влияние
• Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
  Соколова, З. Н., Веселов, Д. А. , Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Асрян, Л. В.
  
  Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 998-1003 Соколова_рост
• Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 мю m
  Дюделев, В. В., Бабичев, А. В., Слипченко, С. О., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Гладышев, А. Г., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Егоров, А. Ю., Соколовский, Г. С.
  
  Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 мю m, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2251-2254 .- Дюделев_высокотемпературная
• К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
  Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Растегаева, М. Г., Слипченко, С. О., Стрелец, В. А., Шамахов, В. В., Тарасов, И. С.
  
  К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1247-1252 .- Веселов_к вопросу
• Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K)
  Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бобрецова, Ю. К., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Капитонов, В. А., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Соколова, З. Н., Тарасов, И .С.
  
  Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K), [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1414-1419 .- Веселов_исследование
• Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
  Воробьёв, Л. Е., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Никитина, Е. В., Софронов, А. Н., Фирсов, Д. А., Воробьев, Л. Е., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю.
  
  Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1320-1324 .- Бабичев_генерация
• Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
  Подоскин, А. А., Романович, Д. Н., Шашкин, И. С., Гаврина, П. С., Соколова, З. Н., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А.
  
  Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 5. - С. 484-489 .- Подоскин_модель
• Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
  Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Соболева, О. С., Юферев, В. С., Головин, В. С., Гаврина, П. С., Романович, Д. Н., Мирошников, И. В., Пихтин, Н. А.
  
  Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 452-457 Слипченко_исследования
• Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
  Соболева, О. С., Головин, В. С., Юферев, В. С., Гаврина, П. С., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А.
  
  Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs , [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 478-483 Соболева_моделирование
• Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
  Золотарёв, В. В., Копьёв, П. С. , Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Веселов, Д. А. , Бахвалов, К. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
  
  Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом, [Электронный ресурс] цв. ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 4. - С. 414-419 .- Шашкин_одномодовые
• Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
  Шашкин, И. С., Золотарёв, В. В., Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
  
  Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 408-413 Шашкин_излучательные