| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы импульсные полупроводниковые лазеры, излучающие в спектральных диапазонах 1000-1100 и 1400-1600 нм при температурах 110-120 K, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что охлаждение до температур лазеров обоих спектральных диапазонов приводит к приближению ватт-амперных характеристик к линейным и достижению оптических мощностей 110 и 20 Вт соответственно. В лазерах, излучающих в спектральном диапазоне 140-1600 нм, эффект низких температур ослаблен. Рассмотрены процессы, влияющие на увеличение внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах. Показано, что рост концентрации носителей заряда в волноводе лазерной структуры сильно зависит от температуры и определяется не мгновенным захватом (скоростью захвата) носителей заряда из волновода в активную область. Показано, что при понижении температуры до 115K концентрация электронов и дырок в волноводе понижается, что приводит к существенному снижению внутренних оптических потерь и увеличению выходной оптической мощности полупроводникового лазера. |
| Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 10. - С. 1414-1419 |
| Имя макрообъекта | Веселов_исследование |
